主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: 6AUzS4O • 定義MMI耦合器的材料; NJqALm!( • 定義布局設(shè)定; ?^BsR • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器; ;YZw{|gsh • 插入輸入面; &4*&L.hPM^ • 運(yùn)行模擬; $pk3d+0B • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 $O}gl Q yfTnj:Fz 1. 定義MMI耦合器的材料 b]RCe^E1 為了定義MMI耦合器的材料,需要進(jìn)行如下操作: 8e>;E 1) 通過(guò)File-New打開“初始性能對(duì)話框(Initial Properties)“ ?;)(O2p 1+eC'&@Xjt 圖1.初始性能對(duì)話框
BCUw"R# 2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口(Profile Designer)” gp-wlu4 #PXl*~PrQ/ 圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
|Q9S$l] 3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 s+zb[3}
D{N1.rSxv {w!}:8p 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
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