ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限
在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預(yù)計在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預(yù)計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達(dá)到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。
![]() 目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。 此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。 不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。 ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA指標(biāo)達(dá)到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。 與之前的光刻機相比,新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右,可以進(jìn)一步提升光刻機的精度,畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準(zhǔn)了2nm甚至極限的1nm工藝的。 不過新一代EUV光刻機還有點早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。 |
最新評論

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thorn12345 2020-03-17 08:40ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA指標(biāo)達(dá)到了0.55,

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stoutman 2020-03-17 08:51不過新一代EUV光刻機還有點早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。

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鄰家百合 2020-03-17 09:06ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限

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rmsh 2020-03-17 09:16國內(nèi)也開始有高端光刻機實驗成功

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hhj520 2020-03-17 09:31是2019年的兩倍左右。

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wmh1985 2020-03-17 09:43目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。

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廣州未贏夠 2020-03-17 10:17光刻機的光源好像也升級了吧,從以前的二氧化碳激光器改進(jìn)了一些

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wtyssg 2020-03-17 10:37ASML研發(fā)下一代EUV光刻機:分辨率提升70% 逼近1nm極限

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james951 2020-03-17 10:38光刻機

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wuerteren 2020-03-17 10:51光刻機在鏡頭設(shè)計上國內(nèi)應(yīng)該問題不大,但是分辨率也就是干涉儀國內(nèi)應(yīng)該達(dá)不到要求





